2SJ652-1E

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

28 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

28.5 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

80 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

30 W

Configurazione:

Separare

Confezione:

Tubo

Serie:

2SJ652

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Marca:

ON Semiconductor

Tempo di caduta:

180 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

210 ns

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

310 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

33 ns

Unità di peso:

0.211644 oz

Tags

2SJ652, 2SJ65, 2SJ6, 2SJ