SIDR220DP-T1-GE3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Vishay

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PowerPAK-SO-8DC-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

25 V

Id - Corrente di scarico continua:

100 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

820 uOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

4.5 V

Qg - Carica cancello:

134 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

125 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

TrenchFET

Confezione:

Bobina

Serie:

SID

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Vishay / Siliconix

Tempo di caduta:

16 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

95 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

47 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

51 ns

Tags

SIDR, SID