PD57018STR-E

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

Transistor MOSFET RF

RoHS:

Y

Polarità del transistor:

Canale N

Tecnologia:

si

Id - Corrente di scarico continua:

2.5 A

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

65 V

Rds On - Resistenza Drain-Source:

760 mOhms

Guadagno:

16.5 dB

Potenza di uscita:

18 W

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PowerSO-10RF-Straight-4

Confezione:

Bobina

Configurazione:

Separare

Altezza:

3.5 mm

Lunghezza:

7.5 mm

Frequenza operativa:

1 GHz

Serie:

PD57018-E

Tipo:

MOSFET di potenza RF

Larghezza:

9.4 mm

Marca:

STMicroelectronics

Modalità canale:

Aumento

Sensibile all'umidità:

sì

Pd - Dissipazione di potenza:

31.7 W

Tipologia di prodotto:

Transistor MOSFET RF

Quantità confezione di fabbrica:

600

sottocategoria:

MOSFET

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Unità di peso:

0.105822 oz

Tags

PD57018S, PD5701, PD570, PD57, PD5