FQN1N60CBU

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-92-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

600 V

Id - Corrente di scarico continua:

300 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

9.3 Ohms

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Massa

Altezza:

5.33 mm

Lunghezza:

5.2 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

MOSFET

Larghezza:

4.19 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

0.75 S

Tempo di caduta:

27 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

21 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

13 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

7 ns

Unità di peso:

0.006314 oz

Tags

FQN1N60C, FQN1N6, FQN1, FQN