FQN1N50CTA

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-92-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

500 V

Id - Corrente di scarico continua:

380 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

4.6 Ohms

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

890 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Pacchetto munizioni

Altezza:

5.33 mm

Lunghezza:

5.2 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Serie:

FQN1N50C

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

MOSFET

Larghezza:

4.19 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

0.6 S

Tempo di caduta:

10 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

10 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

20 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

10 ns

Unità di peso:

0.008466 oz

Tags

FQN1N5, FQN1, FQN