CDM7-600LR TR13

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore centrale

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

600 V

Id - Corrente di scarico continua:

7 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

530 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

14.5 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

60 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

UltraMOS

Confezione:

Bobina

Serie:

CDM

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Semiconduttore centrale

Tempo di caduta:

26 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

26 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

44 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

9.4 ns

Parte # Alias:

CDM7-600LR PBFREE TR13

Unità di peso:

0.139332 oz

Tags

CDM7-6, CDM7, CDM