IRLHM630TRPBF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PQFN-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

40 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

3.5 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

800 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V

Qg - Carica cancello:

41 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.7 W

Configurazione:

Separare

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.05 mm

Lunghezza:

3.3 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

3.3 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

140 S

Tempo di caduta:

43 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

32 ns

Quantità confezione di fabbrica:

4000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

65 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

9.1 ns

Parte # Alias:

SP001568974

Unità di peso:

0.025609 oz

Tags

IRLHM630TRP, IRLHM630T, IRLHM63, IRLHM, IRLH, IRL