DMN62D1SFB-7B

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

X1-DFN1006-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

410 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

1.4 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.3 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

2.8 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

470 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

DMN62D1SFB

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Transconduttanza diretta - Min:

100 mS

Tempo di caduta:

11.96 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

4.93 ns

Quantità confezione di fabbrica:

10000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

18.8 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

3.89 ns

Unità di peso:

0.000035 oz

Tags

DMN62D1, DMN62, DMN6, DMN