DZT658-13

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-223-4

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

400 V

Collettore-tensione di base VCBO:

400 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

500 mV

Corrente massima del collettore CC:

1 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

50 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

DZT658

Guadagno di corrente CC hFE Max:

50 at 1 mA, 5 V

Altezza:

1.6 mm

Lunghezza:

6.5 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

3.5 mm

Marca:

Diodi incorporati

Guadagno base/collettore DC hfe min:

40 at 200 mA, 10 V

Pd - Dissipazione di potenza:

1000 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.003951 oz

Tags

DZT658, DZT6, DZT