DMN2300UFD-7

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

X1-DFN1212-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

1.73 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

200 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Qg - Carica cancello:

2 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

960 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

DMN23

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Transconduttanza diretta - Min:

40 mS

Tempo di caduta:

10.62 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

6.93 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

21.71 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

4.92 ns

Tags

DMN2300UF, DMN230, DMN23, DMN2, DMN