IRF7601PBF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

Micro-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

5.7 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

35 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

700 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V

Qg - Carica cancello:

14 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.8 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Altezza:

1.11 mm

Lunghezza:

3 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

3 mm

Marca:

Infineon / IR

Transconduttanza diretta - Min:

6.1 S

Tempo di caduta:

32 ns

Sensibile all'umidità:

sì

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

47 ns

Quantità confezione di fabbrica:

80

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

24 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

5.1 ns

Parte # Alias:

SP001551458

Tags

IRF7601, IRF760, IRF76, IRF7, IRF