STW26NM60ND

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-247-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

600 V

Id - Corrente di scarico continua:

21 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

145 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

25 V

Qg - Carica cancello:

54.6 nC

Pd - Dissipazione di potenza:

190 W

Configurazione:

Separare

Confezione:

Tubo

Serie:

STW26NM60ND

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

STMicroelectronics

Tempo di caduta:

27.5 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

14.5 ns

Quantità confezione di fabbrica:

30

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

69 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

22 ns

Unità di peso:

1.340411 oz

Tags

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