IRF9Z34NSTRRPBF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

55 V

Id - Corrente di scarico continua:

19 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

100 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

23.3 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

68 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

2.3 mm

Lunghezza:

6.5 mm

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Tipo:

MOSFET di potenza HEXFET

Larghezza:

6.22 mm

Marca:

Infineon / IR

Tempo di caduta:

41 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

55 ns

Quantità confezione di fabbrica:

800

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

30 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

13 ns

Parte # Alias:

SP001551716

Unità di peso:

0.139332 oz

Tags

IRF9Z34NSTRRP, IRF9Z34NSTRR, IRF9Z34NST, IRF9Z34NS, IRF9Z34N, IRF9Z34, IRF9Z3, IRF9Z, IRF9, IRF