NTB30N20T4G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-263-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

200 V

Id - Corrente di scarico continua:

30 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

68 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

214 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

4.83 mm

Lunghezza:

10.29 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

MOSFET

Larghezza:

9.65 mm

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

20 S

Tempo di caduta:

24 ns, 88 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

20 ns, 70 ns

Quantità confezione di fabbrica:

800

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

40 ns, 82 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

10 ns, 12 ns

Unità di peso:

0.139332 oz

Tags

NTB30N2, NTB30N, NTB30, NTB3, NTB