IXTY08N100D2-TRL

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

Moduli a semiconduttore discreti

RoHS:

Y

Prodotto:

Moduli MOSFET di potenza

Tipo:

Modalità di esaurimento

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Confezione:

Bobina

Configurazione:

Separare

Marca:

IXYS

Polarità del transistor:

Canale N

Tempo di caduta:

48 ns

Id - Corrente di scarico continua:

800 mA

Pd - Dissipazione di potenza:

60 W

Tipologia di prodotto:

Moduli a semiconduttore discreti

Rds On - Resistenza Drain-Source:

21 Ohms

Ora di alzarsi:

57 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

Moduli a semiconduttore discreti

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

34 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

28 ns

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

1000 V

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

- 4 V

Tags

IXTY08N100D, IXTY08N10, IXTY08N1, IXTY08, IXTY0, IXTY, IXT