IXTY08N100D2

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

1 kV

Id - Corrente di scarico continua:

800 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

21 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

14.6 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

60 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

esaurimento

Confezione:

Tubo

Serie:

IXTY08N100

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

IXYS

Transconduttanza diretta - Min:

330 mS

Tempo di caduta:

48 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

57 ns

Quantità confezione di fabbrica:

70

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

34 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

28 ns

Unità di peso:

0.081130 oz

Tags

IXTY08N100D, IXTY08N10, IXTY08N1, IXTY08, IXTY0, IXTY, IXT