ZDT694TA

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SM-8

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Dual

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

120 V

Collettore-tensione di base VCBO:

120 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

0.5 V

Corrente massima del collettore CC:

0.5 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

130 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

ZDT694

Guadagno di corrente CC hFE Max:

500

Altezza:

1.6 mm

Lunghezza:

6.7 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

3.7 mm

Marca:

Diodi incorporati

Guadagno base/collettore DC hfe min:

500 at 100 mA, 2 V, 400 at 200 mA, 2 V, 150 at 400 mA, 2 V

Pd - Dissipazione di potenza:

2.75 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

transistor

Tags

ZDT694T, ZDT694, ZDT69, ZDT6, ZDT