ZDT758TA

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SM-8

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Dual

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 400 V

Collettore-tensione di base VCBO:

- 400 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 5 V

Corrente massima del collettore CC:

0.5 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

50 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

50

Altezza:

1.6 mm

Lunghezza:

6.7 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

3.7 mm

Marca:

Diodi incorporati

Corrente continua del collettore:

- 0.5 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

50 at 1 mA, 5 V, 50 at 100 mA, 5 V, 40 at 200 mA, 10 V

Pd - Dissipazione di potenza:

2.75 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

transistor

Tags

ZDT758, ZDT75, ZDT7, ZDT