IXFN52N90P

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Montaggio su telaio

Pacchetto/custodia:

SOT-227-4

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

900 V

Id - Corrente di scarico continua:

43 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

160 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

132 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

890 W

Nome depositato:

HiPerFET

Confezione:

Tubo

Serie:

IXFN52N90

Tipo:

MOSFET di potenza polare

Marca:

IXYS

Transconduttanza diretta - Min:

35 S / 20 S

Tempo di caduta:

42 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

80 ns

Quantità confezione di fabbrica:

10

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

95 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

63 ns

Unità di peso:

1.340411 oz

Tags

IXFN52, IXFN5, IXFN, IXF