2N2906A

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore centrale

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-18

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

60 V

Collettore-tensione di base VCBO:

60 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

2.6 V

Corrente massima del collettore CC:

600 mA

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

200 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 200 C

Serie:

2N2906

Confezione:

Massa

Marca:

Semiconduttore centrale

Guadagno base/collettore DC hfe min:

40 at 150 mA, 10 V

Pd - Dissipazione di potenza:

4000 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

2000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

2N2906A PBFREE

Unità di peso:

0.011020 oz

Tags

2N2906A, 2N2906, 2N290, 2N29, 2N2