ZXTP2008ZQTA

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-89-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 30 V

Collettore-tensione di base VCBO:

- 50 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 7 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

- 130 mV

Corrente massima del collettore CC:

- 5.5 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

110 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

300

Confezione:

Bobina

Marca:

Diodi incorporati

Corrente continua del collettore:

- 5.5 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

100

Pd - Dissipazione di potenza:

12 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

transistor

Tags

ZXTP2008Z, ZXTP2008, ZXTP200, ZXTP20, ZXTP2, ZXTP, ZXT