CSD75204W15

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Texas Instruments

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DSBGA-9

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

3 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

80 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

6 V

Qg - Carica cancello:

2.8 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

700 mW

Configurazione:

Dual

Nome depositato:

NexFET

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.62 mm

Lunghezza:

1.5 mm

Serie:

CSD75204W15

Tipo di transistor:

2 P-Channel

Larghezza:

1.5 mm

Marca:

Texas Instruments

Transconduttanza diretta - Min:

5.3 S

Tempo di caduta:

26 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

6.7 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

45 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

7.8 ns

Tags

CSD7520, CSD752, CSD75, CSD7, CSD