DMN7022LFGQ-7

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

Tecnologia:

si

Pacchetto/custodia:

PowerDI3333-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

75 V

Id - Corrente di scarico continua:

23 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

14.6 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

56.5 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

3.9 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

5.7 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

19.6 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

6.1 ns

Tags

DMN7, DMN