SQ4532AEY-T1_GE3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Vishay

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SO-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

7.3 A, 5.3 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

21 mOhms, 56 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.5 V, 2.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

5.9 nC, 7.9 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

3.3 W, 3.3 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Nome depositato:

TrenchFET

Confezione:

Bobina

Serie:

SQ

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconduttanza diretta - Min:

22 S, 5.5 S

Tempo di caduta:

19 ns, 16 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

17 ns, 17 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

10 ns, 19 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

7 ns, 6 ns

Unità di peso:

0.002610 oz

Tags

SQ4532A, SQ45, SQ4