ZXT12N50DXTC

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

MSOP-8

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Dual

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

50 V

Collettore-tensione di base VCBO:

100 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

7.5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

135 mV

Corrente massima del collettore CC:

3 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

132 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

ZXT12

Guadagno di corrente CC hFE Max:

250 at 10 mA, 2 V

Altezza:

0.95 mm

Lunghezza:

3.1 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

3.1 mm

Marca:

Diodi incorporati

Corrente continua del collettore:

3 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

250 at 10 mA, 2 V, 300 at 1 A, 2 V, 150 at 3 A, 2 V, 50 at 5 A, 2 V

Pd - Dissipazione di potenza:

870 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

4000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.004938 oz

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