DMN31D5UFZ-7B

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

X2-DFN0606-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

220 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

4.5 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V

Qg - Carica cancello:

350 pC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

393 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

DMN31

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

6.9 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

2 ns

Quantità confezione di fabbrica:

10000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

20 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

3.1 ns

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DMN31D5U, DMN31D5, DMN31D, DMN31, DMN3, DMN