PD85035C

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

Transistor MOSFET RF

RoHS:

Y

Polarità del transistor:

Canale N

Tecnologia:

si

Id - Corrente di scarico continua:

8 A

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

40 V

Guadagno:

14.5 dB

Potenza di uscita:

35 W

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

M243

Confezione:

Massa

Configurazione:

Separare

Altezza:

4.45 mm (Max)

Lunghezza:

9.4 mm (Max)

Frequenza operativa:

1 GHz

Serie:

PD85035C

Tipo:

MOSFET di potenza RF

Larghezza:

6.1 mm (Max)

Marca:

STMicroelectronics

Modalità canale:

Aumento

Pd - Dissipazione di potenza:

108 W

Tipologia di prodotto:

Transistor MOSFET RF

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

MOSFET

Vgs - Tensione Gate-Source:

15 V

Tags

PD8503, PD850, PD85, PD8