PD85006L-E

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

Transistor MOSFET RF

RoHS:

Y

Polarità del transistor:

Canale N

Tecnologia:

si

Id - Corrente di scarico continua:

2 A

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

40 V

Guadagno:

15 dB

Potenza di uscita:

6 W

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PowerFLAT (5x5)

Confezione:

Bobina

Configurazione:

Separare

Frequenza operativa:

1 GHz

Serie:

PD85006L-E

Tipo:

MOSFET di potenza RF

Marca:

STMicroelectronics

Modalità canale:

Aumento

Sensibile all'umidità:

sì

Pd - Dissipazione di potenza:

20.8 W

Tipologia di prodotto:

Transistor MOSFET RF

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Vgs - Tensione Gate-Source:

15 V

Unità di peso:

0.105822 oz

Tags

PD85006, PD8500, PD850, PD85, PD8