AUIRF7769L2TR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DirectFET-L8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

124 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

3.5 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

200 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

125 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.74 mm

Lunghezza:

9.15 mm

Larghezza:

7.1 mm

Marca:

Infineon / IR

Transconduttanza diretta - Min:

410 S

Tempo di caduta:

41 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

32 ns

Quantità confezione di fabbrica:

4000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

92 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

44 ns

Parte # Alias:

SP001522786

Tags

AUIRF77, AUIRF7, AUIRF, AUIR, AUI