MMBF170Q-13-F

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

70 V

Id - Corrente di scarico continua:

500 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

5.3 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

800 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

300 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Confezione:

Bobina

Altezza:

1 mm

Lunghezza:

2.9 mm

Serie:

MMBF170

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

1.3 mm

Marca:

Diodi incorporati

Transconduttanza diretta - Min:

80 mS

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

10000

sottocategoria:

MOSFET

Unità di peso:

0.000282 oz

Tags

MMBF170Q, MMBF17, MMBF1, MMBF, MMB