IRL6283MTRPBF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DirectFET-MD

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

211 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

500 uOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

800 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V

Qg - Carica cancello:

105 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

63 W

Configurazione:

Separare

Nome depositato:

Directfet

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.595 mm

Lunghezza:

6.35 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

5.05 mm

Marca:

Infineon / IR

Transconduttanza diretta - Min:

320 S

Tempo di caduta:

192 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

160 ns

Quantità confezione di fabbrica:

4800

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

116 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

23 ns

Parte # Alias:

SP001578706

Tags

IRL62, IRL6, IRL