BSR316PL6327HTSA1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

360 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

1.3 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

7 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

500 mW (1/2 W)

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.1 mm

Lunghezza:

3 mm

Serie:

BSR316

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Larghezza:

1.6 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

300 mS

Tempo di caduta:

26 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

6 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

71 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

5 ns

Parte # Alias:

BSR316P BSR316PL6327XT L6327 SP000265407

Unità di peso:

0.000282 oz

Tags

BSR316PL, BSR316, BSR31, BSR3, BSR