SQUN702E-T1_GE3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Vishay

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

Morire

Numero di canali:

3 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

40 V, 200 V

Id - Corrente di scarico continua:

20 A, 30 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

9.2 mOhms, 30 mOhms, 60 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.5 V, 2.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

14 nC, 23 nC, 30.2 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

48 W, 60 W

Configurazione:

Triplicare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

TrenchFET

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

2 N-Channel, 1 P-Channel

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconduttanza diretta - Min:

16 S, 19 S, 65 S

Tempo di caduta:

2 ns, 10 ns, 19 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

3 ns, 9 ns, 12 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

15 ns, 22 ns, 43 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

7 ns, 8 ns, 10 ns

Tags

SQU