DP0150BLP4-7B

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DFN1006H4-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 50 V

Collettore-tensione di base VCBO:

- 50 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

- 300 mV

Corrente massima del collettore CC:

- 200 mA

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

80 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

DP0150

Confezione:

Bobina

Marca:

Diodi incorporati

Corrente continua del collettore:

- 100 mA

Guadagno base/collettore DC hfe min:

200 at - 2 mA, - 6 V

Pd - Dissipazione di potenza:

450 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

10000

sottocategoria:

transistor

Tags

DP0150BLP4-7, DP0150BL, DP0150B, DP015, DP01, DP0