ZXMN3A01ZTA

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-89-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

3.3 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

120 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

5 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

970 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

ZXMN3A

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Transconduttanza diretta - Min:

3.5 S

Tempo di caduta:

3.6 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

4.1 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

13.5 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

2.6 ns

Unità di peso:

0.004603 oz

Tags

ZXMN3A01, ZXMN3A0, ZXMN3A, ZXMN3, ZXMN, ZXM