MMDT3946LP4-7

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DFN1310H4-6

Polarità del transistor:

NPN, PNP

Configurazione:

Dual

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

40 V

Collettore-tensione di base VCBO:

- 40 V, 60 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 5 V, 6 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

- 400 mV, 300 mV

Corrente massima del collettore CC:

- 200 mA, 200 mA

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

300 MHz, 250 MHz

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

MMDT39

Altezza:

0.35 mm

Lunghezza:

1.3 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

1 mm

Marca:

Diodi incorporati

Pd - Dissipazione di potenza:

200 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Tags

MMDT3946, MMDT394, MMDT3, MMDT, MMD