IRG4BH20K-SPBF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

Transistor IGBT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Pacchetto/custodia:

DPAK-3

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

1.2 kV

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

3.17 V

Tensione massima dell'emettitore di gate:

20 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

11 A

Pd - Dissipazione di potenza:

60 W

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Confezione:

Tubo

Corrente continua del collettore Ic Max:

11 A

Altezza:

4.83 mm

Lunghezza:

10.67 mm

Larghezza:

9.65 mm

Marca:

Infineon / IR

Tipologia di prodotto:

Transistor IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

IGBT

Parte # Alias:

SP001536124

Unità di peso:

0.009185 oz

Tags

IRG4BH20K-S, IRG4BH, IRG4B, IRG4, IRG