IXFR18N90P

IXFR18N90P
Mfr. #:
IXFR18N90P
Produttore:
Littelfuse
Descrizione:
MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
IXFR18N90P Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IXFR18N90P DatasheetIXFR18N90P Datasheet (P4)
ECAD Model:
Maggiori informazioni:
IXFR18N90P maggiori informazioni
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
IXYS
Categoria di prodotto:
MOSFET
RoHS:
Y
Tecnologia:
si
Stile di montaggio:
Foro passante
Pacchetto/custodia:
TO-247-3
Numero di canali:
1 Channel
Polarità del transistor:
Canale N
Vds - Tensione di rottura Drain-Source:
900 V
Id - Corrente di scarico continua:
10.5 A
Rds On - Resistenza Drain-Source:
660 mOhms
Vgs - Tensione Gate-Source:
30 V
Temperatura di esercizio minima:
- 55 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:
200 W
Configurazione:
Separare
Nome depositato:
HiPerFET
Confezione:
Tubo
Serie:
IXFR18N90
Tipo di transistor:
1 N-Channel
Tipo:
MOSFET di potenza polare
Marca:
IXYS
Tipologia di prodotto:
MOSFET
Quantità confezione di fabbrica:
30
sottocategoria:
MOSFET
Unità di peso:
0.186952 oz
Tags
IXFR18, IXFR1, IXFR, IXF
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***i-Key
MOSFET N-CH 900V ISOPLUS247
900V Polar HiPerFET Power MOSFETs
IXYS 900V Polar HiPerFET™ Power MOSFETs are available with drain current ratings from 10.5A to 56A and combine the advantages derived from the IXYS Polar Technology platform and HiPerFET process to provide improved power efficiency and reliability in demanding high-voltage conversion systems that require bus voltage operation of up to 700V. IXYS 900V Polar HiPerFET Power MOSFETs are tailored to minimize on-state resistance while maintaining low gate charge, resulting in a substantial reduction in conduction and switching losses. These IXYS devices feature a fast intrinsic diode for low reverse recovery charge and improved turn-off dV/dt immunity. These high reliability Polar HiPerFET Power MOSFETs are ideal for use in a variety of applications, including switch-mode / resonant-mode power supplies, DC/DC converters, laser drivers, and more.
Electrical Vehicle DC Fast Chargers
DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
IXFR18N90P
DISTI # IXFR18N90P-ND
IXYS CorporationMOSFET N-CH 900V ISOPLUS247
RoHS: Compliant
Min Qty: 30
Container: Tube
Temporarily Out of Stock
  • 30:$10.2603
IXFR18N90P
DISTI # 747-IXFR18N90P
IXYS CorporationMOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
RoHS: Compliant
0
  • 1:$13.0800
  • 10:$11.7700
  • 25:$9.7900
  • 50:$9.1000
  • 100:$8.9000
  • 250:$8.1200
  • 500:$7.4100
  • 1000:$7.0700
Immagine Parte # Descrizione
IXFR16N120P

Mfr.#: IXFR16N120P

OMO.#: OMO-IXFR16N120P

MOSFET 16 Amps 1200V 1 Rds
IXFR102N30P

Mfr.#: IXFR102N30P

OMO.#: OMO-IXFR102N30P

MOSFET 54 Amps 300V 0.033 Rds
IXFR120N20

Mfr.#: IXFR120N20

OMO.#: OMO-IXFR120N20

MOSFET 200V 105A
IXFR180N10

Mfr.#: IXFR180N10

OMO.#: OMO-IXFR180N10

MOSFET 100V 165A
IXFR15N80Q

Mfr.#: IXFR15N80Q

OMO.#: OMO-IXFR15N80Q-IXYS-CORPORATION

MOSFET 13 Amps 800V 0.6 Rds
IXFR13N50

Mfr.#: IXFR13N50

OMO.#: OMO-IXFR13N50-IXYS-CORPORATION

MOSFET 13 Amps 500V 0.4 Rds
IXFR16N120P

Mfr.#: IXFR16N120P

OMO.#: OMO-IXFR16N120P-IXYS-CORPORATION

MOSFET 16 Amps 1200V 1 Rds
IXFR12N120P

Mfr.#: IXFR12N120P

OMO.#: OMO-IXFR12N120P-IXYS-CORPORATION

MOSFET 12 Amps 1200V 1 Rds
IXFR16N80P

Mfr.#: IXFR16N80P

OMO.#: OMO-IXFR16N80P-IXYS-CORPORATION

MOSFET Polar HiperFET Power MOSFET
IXFR10N100Q

Mfr.#: IXFR10N100Q

OMO.#: OMO-IXFR10N100Q-IXYS-CORPORATION

MOSFET MOSFET w/FAST Intrinsic Diode
Disponibilità
Azione:
Available
Su ordine:
2500
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Quantità
Prezzo unitario
est. Prezzo
1
13,08 USD
13,08 USD
10
11,77 USD
117,70 USD
25
9,79 USD
244,75 USD
50
9,10 USD
455,00 USD
100
8,90 USD
890,00 USD
250
8,12 USD
2 030,00 USD
500
7,41 USD
3 705,00 USD
1000
7,07 USD
7 070,00 USD
A causa della scarsità di semiconduttori dal 2021, il prezzo inferiore è il prezzo normale prima del 2021. Si prega di inviare informazioni per confermare.
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