DMC3025LSDQ-13

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SO-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

8.5 A, 5.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

20 mOhms, 45 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V, 2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

9.8 nC, 10.5 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.5 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Confezione:

Bobina

Marca:

Diodi incorporati

Transconduttanza diretta - Min:

8 S, 5 S

Tempo di caduta:

5.8 ns, 12.4 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

4.2 ns, 4.9 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

16.6 ns, 28.4 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

3.9 ns, 6.8 ns

Unità di peso:

0.000282 oz

Tags

DMC3025LS, DMC3025, DMC302, DMC30, DMC3, DMC