IRF7707GTRPBF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TSSOP-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

7 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

22 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.2 V

Qg - Carica cancello:

47 nC

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.5 W

Configurazione:

Separare

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.2 mm

Lunghezza:

4.4 mm

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Larghezza:

3 mm

Marca:

Infineon / IR

Transconduttanza diretta - Min:

15 S

Tempo di caduta:

207 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

81 ns

Quantità confezione di fabbrica:

4000

sottocategoria:

MOSFET

Parte # Alias:

SP001565642

Unità di peso:

0.005573 oz

Tags

IRF7707, IRF770, IRF77, IRF7, IRF