RYE002N05TCL

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-416-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

50 V

Id - Corrente di scarico continua:

200 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

9 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

300 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

150 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.7 mm

Lunghezza:

1.6 mm

Prodotto:

MOSFET

Serie:

RYE002N05

Tipo di transistor:

1 N-channel

Tipo:

MOSFET di potenza

Larghezza:

0.8 mm

Marca:

Semiconduttore ROHM

Transconduttanza diretta - Min:

200 mS

Tempo di caduta:

43 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

8 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

17 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

5 ns

Parte # Alias:

RYE002N05

Unità di peso:

0.000212 oz

Tags

RYE002N05T, RYE0, RYE