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STGY80H65DFB

STGY80H65DFB
Mfr. #:
STGY80H65DFB
Produttore:
STMicroelectronics
Descrizione:
IGBT Transistors Trench gte FieldStop IGBT 650V 80A
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
STGY80H65DFB Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Maggiori informazioni:
STGY80H65DFB maggiori informazioni STGY80H65DFB Product Details
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
STMicroelectronics
Categoria di prodotto:
Transistor IGBT
RoHS:
Y
Tecnologia:
si
Pacchetto/custodia:
Max247-3
Stile di montaggio:
Foro passante
Configurazione:
Separare
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:
650 V
Tensione di saturazione collettore-emettitore:
1.9 V
Tensione massima dell'emettitore di gate:
20 V
Corrente continua del collettore a 25 C:
120 A
Pd - Dissipazione di potenza:
469 W
Temperatura di esercizio minima:
- 55 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 175 C
Serie:
STGY80H65
Confezione:
Tubo
Corrente continua del collettore Ic Max:
80 A
Marca:
STMicroelectronics
Corrente di dispersione gate-emettitore:
250 nA
Tipologia di prodotto:
Transistor IGBT
Quantità confezione di fabbrica:
30
sottocategoria:
IGBT
Tags
STGY, STG
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***ure Electronics
HB Series 650 V 80 A High Speed Trench Gate Field-Stop IGBT - Max247
***ical
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 469000mW 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
***p One Stop Global
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
***et Europe
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 3-Pin Max247 Tube
***ark
Igbt & Power Bipolar
***i-Key
IGBT 650V 120A 469W MAX247
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
STGY80H65DFB
DISTI # 497-14564-5-ND		STMicroelectronicsIGBT 650V 120A 469W MAX247
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube		362In Stock
  • 120:$11.1077
  • 30:$12.6067
  • 1:$14.3100
STGY80H65DFB
DISTI # STGY80H65DFB		STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 3-Pin Max247 Tube - Rail/Tube (Alt: STGY80H65DFB)
RoHS: Compliant
Min Qty: 600
Container: Tube		Americas - 0
    STGY80H65DFB
    DISTI # 511-STGY80H65DFB    		STMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gte FieldStop IGBT 650V 80A
    RoHS: Compliant    		32
    • 1:$13.6200
    • 10:$12.5200
    • 25:$12.0000
    • 50:$11.3500
    • 100:$10.5700
    • 250:$10.0000
    • 500:$9.3600
    STGY80H65DFBSTMicroelectronicsHB Series 650 V 80 A High Speed Trench Gate Field-Stop IGBT - Max247
    RoHS: Compliant    		600Tube
    • 2:$9.4100
    • 10:$8.9000
    • 25:$8.7100
    • 50:$8.5700
    • 100:$8.4300
    STGY80H65DFBSTMicroelectronics 766
      Immagine Parte # Descrizione
      STGY80H65DFB

      Mfr.#: STGY80H65DFB

      OMO.#: OMO-STGY80H65DFB

      		 IGBT Transistors Trench gte FieldStop IGBT 650V 80A
      STGY80H65DFB

      Mfr.#: STGY80H65DFB

      OMO.#: OMO-STGY80H65DFB-STMICROELECTRONICS

      		 IGBT Transistors Trench gte FieldStop IGBT 650V 80A
      Disponibilità
      Azione:
      32
      Su ordine:
      2015
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