ZXTS1000E6TC

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-247-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

12 V

Collettore-tensione di base VCBO:

12 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Corrente massima del collettore CC:

1.25 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

220 MHz

Temperatura massima di esercizio:

+ 125 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

300 at 10 mA, 2 V

Altezza:

1.3 mm

Lunghezza:

51 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

22 mm

Marca:

Diodi incorporati

Guadagno base/collettore DC hfe min:

300 at 10 mA, 2 V, 300 at 100 mA, 2 V, 200 at 500 mA, 2 V, 125 at 1.25 A, 2 V, 75 at 2 A, 2 V, 30 at 3 A, 2 V

Pd - Dissipazione di potenza:

885 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

10000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.000529 oz

Tags

ZXTS1, ZXTS, ZXT