NSS40301MDR2G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOIC-Narrow-8

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Dual

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

40 V

Collettore-tensione di base VCBO:

40 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V

Corrente massima del collettore CC:

3 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

100 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

NSS40301MD

Guadagno di corrente CC hFE Max:

200 at 10 mA, 2 V

Altezza:

1.5 mm

Lunghezza:

5 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

4 mm

Marca:

ON Semiconductor

Guadagno base/collettore DC hfe min:

200 at 10 mA, 2 V, 200 at 500 mA, 2 V, 180 at 1 A, 2 V, 180 at 2 A, 2 V

Pd - Dissipazione di potenza:

783 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.005044 oz

Tags

NSS40301MDR, NSS40301MD, NSS40301, NSS403, NSS40, NSS4, NSS