IXFK20N120P

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-264-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

1.2 kV

Id - Corrente di scarico continua:

20 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

570 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

6.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

193 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

780 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

HiPerFET

Confezione:

Tubo

Altezza:

26.16 mm

Lunghezza:

19.96 mm

Serie:

IXFK20N120

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

Polar Power MOSFET HiPerFET

Larghezza:

5.13 mm

Marca:

IXYS

Transconduttanza diretta - Min:

10 S

Tempo di caduta:

70 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

45 ns

Quantità confezione di fabbrica:

25

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

72 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

49 ns

Unità di peso:

0.352740 oz

Tags

IXFK20N, IXFK20, IXFK2, IXFK, IXF