IXFK200N10P

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-264-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

200 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

7.5 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

235 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

830 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

HiPerFET

Confezione:

Tubo

Altezza:

26.59 mm

Lunghezza:

20.29 mm

Serie:

IXFK200N10

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

MOSFET di potenza Polar HiPerFET

Larghezza:

5.31 mm

Marca:

IXYS

Transconduttanza diretta - Min:

60 S

Tempo di caduta:

90 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

35 ns

Quantità confezione di fabbrica:

25

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

150 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

30 ns

Unità di peso:

0.352740 oz

Tags

IXFK20, IXFK2, IXFK, IXF