BST40TA

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

N

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-89-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

250 V

Collettore-tensione di base VCBO:

300 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Corrente massima del collettore CC:

0.5 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

70 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

BST40

Guadagno di corrente CC hFE Max:

40 at 20 mA, 10 V

Altezza:

1.6 mm

Lunghezza:

4.6 mm

Larghezza:

2.6 mm

Marca:

Diodi incorporati

Pd - Dissipazione di potenza:

1000 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.004603 oz

Tags

BST40, BST4, BST