DSL12AW-7

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-363-6

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 12 V

Collettore-tensione di base VCBO:

- 12 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

- 290 mV

Corrente massima del collettore CC:

- 3 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

180 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

DSL12

Confezione:

Bobina

Marca:

Diodi incorporati

Corrente continua del collettore:

- 2 A

Pd - Dissipazione di potenza:

450 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.000212 oz

Tags

DSL12, DSL1, DSL