DMN2075UDW-7

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-363-6

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

2.8 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

48 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Qg - Carica cancello:

7 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

500 mW (1/2 W)

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

DMN2075

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Transconduttanza diretta - Min:

13 S

Tempo di caduta:

6.7 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

9.8 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

28.1 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

7.4 ns

Unità di peso:

0.000212 oz

Tags

DMN2075UD, DMN207, DMN20, DMN2, DMN