DMN3035LWN-7

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

V-DFN3020-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

5.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

45 mOhms, 45 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

9.9 nC, 9.9 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.78 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.8 mm

Lunghezza:

3 mm

Prodotto:

Modalità di miglioramento MOSFET

Serie:

DMN3035

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Tipo:

Modalità di miglioramento MOSFET

Larghezza:

3 mm

Marca:

Diodi incorporati

Transconduttanza diretta - Min:

-

Tempo di caduta:

2 ns, 2 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

3.3 ns, 3.3 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

10.6 ns, 10.6 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

3 ns, 3 ns

Tags

DMN303, DMN30, DMN3, DMN